Obiettivi formativi
<br />Acquisizione delle conoscenze di base delle principali tecnicheutilizzate nella preparazione di dispositivi microelettronici
Prerequisiti
<br />Conoscenza delleproprietà fondamentali dei materiali semiconduttori
Contenuti dell'insegnamento
<br /> Introduzione sulleproprietà dei materiali semiconduttori. Drogaggio di materiali semiconduttori.Meccanismi di diffusione di impurezze droganti e tecnica di impiantazione.Trattamenti termici rapidi.<br />Cenni sulle proprietà della giunzione p/n e sulle proprietà disuperficie dei semiconduttori. Contatti metallo/semiconduttore. Contatti ohmicie contatti rettificanti. Tecniche di misura di resistività e mobilità.<br /> Tecnicadi crescita di monocristalli bulk con il metodo Czochralski. Visita laboratoridi crescita bulk (Istituto IMEM).<br />Tecncniche di crescita epitassiali. Epitassia da fase vapore (VPE,MOVPE). Epitassia da fasci molecolari (MBE). Visita laboratori MBE ed MOVPE(Istituto IMEM).<br /> Litografiaottica e costruzione delle maschere. Processi fotolitografici (stesura delresist, esposizione e sviluppo). Litografia a raggi X ed a fascio elettronico.Steps di processo per la realizzazione di diodi metallo/semiconduttore e digiunzioni p/n con struttura ¿mesa¿. Processi di ossidazione e nitrurazione.<br />Realizzazione,mediante fotolitografia, di barriere Schottky su GaAs e Si, controllo dellaqualità dei contatti ohmici e misura delle caratteristiche corrente-tensionedei diodi (laboratorio misure elettriche- Istituto IMEM).<br /> Attacchi umidi(wet etching) e secchi (dry etching). Anisotropia e selettività dell¿attacco.Plasma etching,, sputter etching e reactive ion etching. Prove di attacco sumateriali semiconduttori (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br /> Realizzazionemediante fotolitografia ed evaporazioni di una giunzione p/n con struttura¿mesa¿ (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br /> Deposizione di film metallici mediante evaporazione termica e a fasciodi elettroni (Laboratorio di fotolitografia-Istituto IMEM).<br /> Determinazionedel profilo di concentrazione di portatori mediante misure capacità-tensionecondotte su barriere Schottky e giunzioni p/n (laboratorio misureelettriche-Istituto IMEM).
Programma esteso
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Bibliografia
<br />Appunti dellelezioni del corso<br />G. Soncini,¿Tecnologie microelettroniche¿, Boringhieri<br />CRM Grovenor,¿Microelectronic materials¿, Adam Hiler<br />P. Blood and WOrton, ¿The electrical characterization of semiconductor: majority vcarriersand electron states, Academic Press 1992
Metodi didattici
<br />Lezione orale e laboratorio<br />Esame orale
Modalità verifica apprendimento
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Altre informazioni
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Obiettivi agenda 2030 per lo sviluppo sostenibile
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